日本DENSOKU電測(cè)電解式膜厚度計(jì)CT-3
日本DENSOKU電測(cè)電解式膜厚度計(jì)CT-3
重量輕,機(jī)身小巧
各種電鍍測(cè)量的高可操作性和功能性
·輕巧,緊湊的機(jī)身,體重3.0kg
·可從任何電鍍范圍測(cè)量
·增加了高靈敏度范圍
·校準(zhǔn)范圍寬達(dá)±15%
·C墊片范圍的標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備
電解膜厚度計(jì)CT-3的特點(diǎn)
輕巧緊湊
輕巧,極其緊湊的機(jī)身,體重3.0kg。
增加了高靈敏度范圍
靈敏度可以設(shè)置為比以前的型號(hào)更高的靈敏度,并且可以提高測(cè)量穩(wěn)定性。
廣泛的校準(zhǔn)范圍
通過標(biāo)準(zhǔn)板校準(zhǔn)的校準(zhǔn)范圍寬達(dá)±15%。
可以達(dá)到1/100的范圍
可以處理Au,Cr等的薄膜電鍍的1/100范圍(以0.001μm為單位的測(cè)量)是可能的。
三種類型的墊圈范圍是標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備
有三種類型的墊圈可供選擇:3.4φ,2.4φ和1.7φ。
主動(dòng)功能
有源功能可以去除一些氧化膜,從而減少氧化膜引起的測(cè)量失敗
我能做到
易于設(shè)置范圍
由于使用了所有刻度盤設(shè)置,因此可以輕松實(shí)現(xiàn)要測(cè)量的鍍層的適合設(shè)置。
日本DENSOKU電測(cè)電解式膜厚計(jì)CT-4
0.006至300微米,各種厚度
多層電鍍測(cè)量,精度高
·易于操作,易于閱讀的屏幕
·電流精度明顯高于以前
·可以確認(rèn)測(cè)量部件的表面處理方法
·多層涂層可設(shè)置多達(dá)5種測(cè)量條件
·多可注冊(cè)50個(gè)測(cè)量通道
電解膜厚度計(jì)CT-4的特點(diǎn)
易于操作,易于閱讀的屏幕
屏幕大,明亮,易于查看,易于操作。
提高電流精度
目前的準(zhǔn)確度已得到顯著改善。
可以檢查表面處理方法
您可以檢查測(cè)量部件的表面處理方法。
測(cè)量條件多可設(shè)置為5層
多層涂層可以設(shè)置多達(dá)5種測(cè)量條件。
多可注冊(cè)50個(gè)頻道
多可以注冊(cè)50個(gè)測(cè)量通道。
可分別測(cè)量純錫層和合金錫層
對(duì)于純錫層和合金錫層,可以分別測(cè)量鍍錫。
自動(dòng)顯示所用電解質(zhì)的類型
所用電解質(zhì)的類型根據(jù)薄膜和基材的組合自動(dòng)顯示。
內(nèi)置統(tǒng)計(jì)處理功能
通過統(tǒng)計(jì)處理功能,可以在屏幕上顯示數(shù)據(jù)。
5種數(shù)據(jù)處理方法
有五種數(shù)據(jù)處理方法。
用日文打印
打印機(jī)使用熱敏卷紙,可以用日文打印。
每單位面積的重量計(jì)算
您可以計(jì)算每單位面積的重量。
日本DENSOKU電測(cè)電解式膜厚計(jì)GCT-311
Windows規(guī)范,
全功能可測(cè)量多達(dá)5層
·使用個(gè)人計(jì)算機(jī),操作簡(jiǎn)單,功能增強(qiáng)
- 使用Windows規(guī)范輕松處理數(shù)據(jù)
·多可注冊(cè)50個(gè)測(cè)量通道
·多層涂層可設(shè)置多達(dá)5種測(cè)量條件
·發(fā)生異常值時(shí),以紅色和警告聲音報(bào)告測(cè)量值。
電解膜厚度計(jì)GCT-311的特點(diǎn)
改進(jìn)了可操作性和增強(qiáng)功能
使用個(gè)人計(jì)算機(jī)可改善可操作性和功能。
輕松的數(shù)據(jù)處理
使用Windows規(guī)范可以輕松進(jìn)行數(shù)據(jù)處理。
多可注冊(cè)50個(gè)頻道
多可以注冊(cè)50個(gè)測(cè)量通道。
多層涂層,多5層
多層涂層可以設(shè)置多達(dá)5種測(cè)量條件。
發(fā)生異常值時(shí)內(nèi)置警告功能
當(dāng)由于上限和下限設(shè)置而發(fā)生異常值時(shí),測(cè)量值將顯示為紅色并顯示警告聲。
自動(dòng)顯示所用電解質(zhì)的類型
所用電解質(zhì)的類型根據(jù)薄膜和基材的組合自動(dòng)顯示。
輕松確認(rèn)顯示處理方法
您可以檢查測(cè)量單元的顯示處理方法。
可分別測(cè)量純錫層和合金錫層
對(duì)于純錫層和合金錫層,可以單獨(dú)測(cè)量“錫/銅"測(cè)量。
輕松測(cè)量雙鎳和三鎳之間的電位差
通過使用參比電極(可選)和電位圖測(cè)量,可以容易地測(cè)量雙鎳和三鎳之間的電位差。
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