日本napson計算機操作非接觸電阻測量裝置

測量規(guī)格

測量目標

半導體/太陽能電池材料相關（硅，多晶硅，SiC等）
 新材料/功能材料相關（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）
 導電薄膜相關（金屬，ITO等）
 硅基外延，離子與
 半導體相關的注入樣品化合物（GaAs Epi，GaN Epi，InP，Ga等）
 其他（*請與我們聯(lián)系）

測量尺寸

3-8英寸?156 x 156毫米
（可選; 2英寸或12英寸?210 x 210毫米）

測量范圍

[電阻] 1m至200Ω·cm 
（*所有探頭類型的總范圍/厚度500um）
[板電阻] 10m至3kΩ / sq 
（*所有探頭類型的總范圍）

*有關每種探頭類型的測量范圍，請參閱以下內(nèi)容。
（1）低：0.01至0.5Ω/□（0.001至
0.05Ω- cm）（2）中：0.5至10Ω/□（0.05至0.5Ω-cm）
（3 ））高：10至1000Ω/□（0.5至60Ω-??cm）
（4）S高：1000至3000Ω/□（60至200Ω-cm）

測量規(guī)格

測量目標

半導體/太陽能電池材料相關（硅，多晶硅，SiC等）
 新材料/功能材料相關（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）
 導電薄膜相關（金屬，ITO等）
 硅基外延，離子與
 半導體相關的注入樣品化合物（GaAs Epi，GaN Epi，InP，Ga等）
 其他（*請與我們聯(lián)系）

測量尺寸

3-8英寸?156 x 156毫米
（可選; 2英寸或12英寸?210 x 210毫米）

測量范圍

[電阻] 1m至200Ω·cm 
（*所有探頭類型的總范圍/厚度500um）
[板電阻] 10m至3kΩ / sq 
（*所有探頭類型的總范圍）

*有關每種探頭類型的測量范圍，請參閱以下內(nèi)容。
（1）低：0.01至0.5Ω/□（0.001至
0.05Ω- cm）（2）中：0.5至10Ω/□（0.05至0.5Ω-cm）
（3 ））高：10至1000Ω/□（0.5至60Ω-??cm）
（4）S高：1000至3000Ω/□（60至200Ω-cm）

日本napson計算機操作非接觸電阻測量裝置