日本napson非接觸脈沖電壓激勵(lì)法超低電阻計(jì)
節(jié)省空間的設(shè)計(jì)主體外殼,便攜式可移動(dòng)平臺(tái)
通過(guò)PC(軟件)進(jìn)行簡(jiǎn)單的測(cè)量操作,數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和管理
測(cè)量顯示單元可以根據(jù)應(yīng)用(薄層電阻,電導(dǎo)率,電導(dǎo)率)進(jìn)行更改
*本產(chǎn)品使用由我公司與千葉大學(xué)聯(lián)合開(kāi)發(fā)的脈沖電壓激勵(lì)方法(篆隸號(hào)5386394)。
測(cè)量目標(biāo)
與新材料/功能材料相關(guān)(碳納米管,DLC,石墨烯,銀納米線等)與
導(dǎo)電薄膜相關(guān)(金屬,ITO等)
與化合物半導(dǎo)體相關(guān)(GaAs Epi,GaN Epi,InP,Ga等)
其他(*查詢)請(qǐng)給我)
測(cè)量尺寸
?A4尺寸(W300 x D210mm)
測(cè)量范圍
50μ?1mΩ/平方
節(jié)省空間的設(shè)計(jì)主體外殼,便攜式可移動(dòng)平臺(tái)
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測(cè)量顯示單元可以根據(jù)應(yīng)用(薄層電阻,電導(dǎo)率,電導(dǎo)率)進(jìn)行更改
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測(cè)量目標(biāo)
與新材料/功能材料相關(guān)(碳納米管,DLC,石墨烯,銀納米線等)與
導(dǎo)電薄膜相關(guān)(金屬,ITO等)
與化合物半導(dǎo)體相關(guān)(GaAs Epi,GaN Epi,InP,Ga等)
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測(cè)量尺寸
?A4尺寸(W300 x D210mm)
測(cè)量范圍
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